F4100R12KS4BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 14983.02 грн |
10+ | 13513.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F4100R12KS4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 130 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 660 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції F4100R12KS4BOSA1 за ціною від 15091.08 грн до 15091.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
F4100R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 660 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
F4100R12KS4BOSA1 Код товару: 162575 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||
F4100R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
товар відсутній |
||||||
F4100R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
товар відсутній |
||||||
F4100R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660000mW 26-Pin ECONO3-4 Tray |
товар відсутній |
||||||
F4100R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товар відсутній |