FCH060N80-F155 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14685 pF @ 100 V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1138.18 грн |
| 10+ | 966.04 грн |
| 450+ | 757.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH060N80-F155 onsemi
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 58, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FCH060N80-F155 за ціною від 730.67 грн до 1236.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH060N80-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SuperFET2 800V |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FCH060N80-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 382 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
FCH060N80-F155 Код товару: 158569 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
FCH060N80-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FCH060N80-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 58 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FCH060N80-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 36.8A; Idm: 174A; 500W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.27µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 174A Drain-source voltage: 800V Drain current: 36.8A On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FCH060N80-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 36.8A; Idm: 174A; 500W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.27µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 174A Drain-source voltage: 800V Drain current: 36.8A On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |