Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDA20N50F
FDA20N50F

FDA20N50F ON Semiconductor

3648697897690848fda20n50f-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+227.54 грн
10+ 209.28 грн
25+ 206.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA20N50F ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 388W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDA20N50F за ціною від 157.47 грн до 326.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDA20N50F FDA20N50F Виробник : onsemi / Fairchild FDA20N50F_D-1806521.pdf MOSFET 500V N-Channel
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+326.68 грн
10+ 290.95 грн
25+ 229.94 грн
100+ 207.54 грн
250+ 199.63 грн
450+ 175.25 грн
2700+ 157.47 грн
FDA20N50F FDA20N50F
Код товару: 104160 		fda20n50f-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDA20N50F FDA20N50F Виробник : ON Semiconductor 3648697897690848fda20n50f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FDA20N50F FDA20N50F Виробник : ON Semiconductor 3648697897690848fda20n50f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FDA20N50F FDA20N50F Виробник : onsemi fda20n50f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
товар відсутній