FDB5800 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 113.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB5800 onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 242W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDB5800 за ціною від 95.46 грн до 215.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB5800 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 12.6mΩ Gate charge: 135nC Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Power dissipation: 242W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB5800 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 242 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB5800 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V |
на замовлення 1268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB5800 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 12.6mΩ Gate charge: 135nC Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Power dissipation: 242W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 725 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB5800 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB5800 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FDB5800 | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK |
на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
FDB5800 Код товару: 176853 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|