FDD10AN06A0 ON Semiconductor
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 58.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD10AN06A0 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDD10AN06A0 за ціною від 56.99 грн до 147.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD10AN06A0 | Виробник : ONSEMI |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 135W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD10AN06A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V |
на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD10AN06A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 135W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1836 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD10AN06A0 Код товару: 149870 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
FDD10AN06A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDD10AN06A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V |
товар відсутній |