FDD4141 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.08 грн |
| 7500+ | 30.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD4141 ONSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDD4141 за ціною від 16 грн до 82.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm |
на замовлення 17944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD4141 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD4141 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET -40V P-Channel PowerTrench |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm |
на замовлення 17944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FDD4141 | Виробник : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi FDD4141 UMW TFDD4141 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD4141 | Виробник : ONS |
Транз. пол. TO-252-3 (DPak) MOSFET P-Channel Vds=40 V Id=50 A Rds=12,3 mOhm Pd=69W |
на замовлення 400 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
FDD4141 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
FDD4141 Код товару: 133759 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.8A Power dissipation: 69W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.8A Power dissipation: 69W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |