FDD6637

FDD6637 ONSEMI


FDD6637.pdf Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1084 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+104.39 грн
5+ 79.62 грн
14+ 57.47 грн
39+ 54.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD6637 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 35V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD6637 за ціною від 65.64 грн до 127.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.27 грн
5+ 99.22 грн
14+ 68.96 грн
39+ 65.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+126.02 грн
10+ 95.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi / Fairchild FDD6637_D-2312192.pdf MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 30229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.18 грн
10+ 97.08 грн
100+ 72.45 грн
500+ 66.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD6637 FDD6637
Код товару: 86650
Виробник : Fairchild fdd6637-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-252
Uds,V: 35 V
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2370/45
Монтаж: SMD
товар відсутній
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor 3653401639398837fdd6637.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor 3653401639398837fdd6637.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor 3653401639398837fdd6637.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
товар відсутній
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
товар відсутній