Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD770N15A
FDD770N15A

FDD770N15A ON Semiconductor

3662442023354827fdd770n15a.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
165+70.57 грн
168+ 69.34 грн
204+ 57.16 грн
250+ 54.64 грн
500+ 42.74 грн
1000+ 33.17 грн
Мінімальне замовлення: 165
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD770N15A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD770N15A за ціною від 28.77 грн до 92.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+72.25 грн
7+ 49.29 грн
21+ 38.47 грн
57+ 36.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : onsemi fdd770n15a-d.pdf Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.51 грн
10+ 57.09 грн
100+ 44.41 грн
500+ 35.32 грн
1000+ 28.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : onsemi / Fairchild FDD770N15A_D-2312259.pdf MOSFET 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.14 грн
10+ 63.48 грн
100+ 42.98 грн
500+ 36.41 грн
1000+ 32.4 грн
2500+ 29.25 грн
5000+ 28.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ON Semiconductor 3662442023354827fdd770n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+76.03 грн
10+ 65.53 грн
25+ 64.39 грн
100+ 51.18 грн
250+ 46.98 грн
500+ 38.1 грн
1000+ 30.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.7 грн
5+ 61.42 грн
21+ 46.17 грн
57+ 43.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+92.89 грн
11+ 71.59 грн
100+ 53.45 грн
500+ 43.2 грн
1000+ 32.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDD770N15A FDD770N15A
Код товару: 100267 		fdd770n15a-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ON Semiconductor 3662442023354827fdd770n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ON Semiconductor 3662442023354827fdd770n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : onsemi fdd770n15a-d.pdf Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
товар відсутній