FDD8580 FAIRCHIL


FDD, FDU8580.pdf Виробник: FAIRCHIL
09+ TSSOP4
на замовлення 829 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8580 FAIRCHIL

Description: MOSFET N-CH 20V 35A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDD8580

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD8580 Виробник : FAIRCHILD FDD, FDU8580.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8580 Виробник : fairchild FDD, FDU8580.pdf 07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8580 Виробник : fairchild FDD, FDU8580.pdf to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8580
Код товару: 155620
FDD, FDU8580.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDD8580 FDD8580 Виробник : onsemi FDD, FDU8580.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
товар відсутній
FDD8580 FDD8580 Виробник : onsemi FDD, FDU8580.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
товар відсутній