на замовлення 8388 шт:
термін постачання 1005-1014 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 661.05 грн |
10+ | 590.23 грн |
25+ | 421.01 грн |
100+ | 404.53 грн |
250+ | 374.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDH44N50 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 750W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDH44N50
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FDH44N50 Код товару: 63451 |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 500 V Idd,A: 44 A Rds(on), Ohm: 120 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5335/90 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||
FDH44N50 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
FDH44N50 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
FDH44N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 750W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
FDH44N50 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 750W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
FDH44N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 750W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |