на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.27 грн |
| 9000+ | 8.85 грн |
| 24000+ | 7.52 грн |
| 45000+ | 7.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN337N ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDN337N за ціною від 8.36 грн до 40.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN337N | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V |
на замовлення 28689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDN337N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A usEccn: EAR99 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDN337N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDN337N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 |
на замовлення 19157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN337N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN337N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V |
на замовлення 28689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDN337N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-3 N-CH 30V |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN337N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 |
на замовлення 19157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDN337N | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 30V 2.2A FDN337N TFDN337n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 343 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FDN337N Код товару: 118654 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
FDN337N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDN337N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |