Технічний опис FDP8880 ON Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB, Mounting: THT, Power dissipation: 55W, Polarisation: unipolar, Drain current: 48A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Case: TO220AB, On-state resistance: 19mΩ, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDP8880
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP8880 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FDP8880 Код товару: 113618 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
 |
FDP8880 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 19mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
FDP8880 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 19mΩ Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |