FDPF18N50

FDPF18N50 ON Semiconductor


fdpf18n50t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 31300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
85+136.05 грн
100+ 129.96 грн
250+ 124.75 грн
500+ 115.96 грн
1000+ 103.86 грн
2500+ 96.76 грн
5000+ 94.16 грн
10000+ 91.86 грн
25000+ 89.8 грн
Мінімальне замовлення: 85
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF18N50 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDPF18N50 за ціною від 81.89 грн до 225.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : onsemi / Fairchild FDPF18N50T_D-2312631.pdf MOSFET 500V N-CH MOSFET
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.18 грн
10+ 156.7 грн
50+ 119.65 грн
100+ 108.35 грн
250+ 107.02 грн
500+ 100.37 грн
1000+ 87.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 22100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+179.79 грн
10+ 158.23 грн
50+ 140.98 грн
100+ 125.97 грн
500+ 100 грн
1000+ 81.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+225.19 грн
10+ 163.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDPF18N50 Виробник : ON-Semicoductor fdpf18n50t-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+151.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDPF18N50
Код товару: 163486
fdpf18n50t-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : onsemi fdpf18n50t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
товар відсутній
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній