Продукція > ONSEMI > FDS6612A
FDS6612A

FDS6612A onsemi

fds6612a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.41 грн
5000+ 19.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6612A onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS6612A за ціною від 17.95 грн до 67.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6612A FDS6612A Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 141427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
917+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 917
FDS6612A FDS6612A Виробник : ONSEMI FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6612A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 141427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.16 грн
19+ 31.29 грн
25+ 31.09 грн
100+ 25.61 грн
250+ 23.19 грн
500+ 17.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
346+33.69 грн
348+ 33.48 грн
408+ 28.6 грн
417+ 26.97 грн
517+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 346
FDS6612A FDS6612A Виробник : ONSEMI 2304579.pdf Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.31 грн
500+ 27.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS6612A FDS6612A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6612A_D-2312875.pdf MOSFET SO-8 N-CH 30V
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.77 грн
10+ 41.72 грн
100+ 27.14 грн
500+ 21.82 грн
1000+ 19.98 грн
2500+ 19.91 грн
5000+ 18.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS6612A FDS6612A Виробник : onsemi fds6612a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 11357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.16 грн
10+ 47.03 грн
100+ 32.55 грн
500+ 25.52 грн
1000+ 21.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS6612A FDS6612A Виробник : ONSEMI 2304579.pdf Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+67.38 грн
14+ 55.59 грн
100+ 35.31 грн
500+ 27.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS6612A
Код товару: 137932 		fds6612a-d.pdf FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6612A FDS6612A Виробник : ONSEMI fds6612a-d.pdf FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
FDS6612A FDS6612A Виробник : ONSEMI fds6612a-d.pdf FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній