Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS6680A Fairchild
FDS6680A

FDS6680A Fairchild

fds6680a-d.pdf
Код товару: 31312
Виробник: Fairchild
Uds,V: 30 V
Idd,A: 11,5 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2070/19
Монтаж: SMD
у наявності 100 шт:
58 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+31.5 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6680A за ціною від 14.82 грн до 123.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6680A FDS6680A Виробник : onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.36 грн
5000+ 22.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.7 грн
500+ 34.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS6680A FDS6680A Виробник : onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 5906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.01 грн
10+ 46.41 грн
100+ 36.1 грн
500+ 28.71 грн
1000+ 23.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6680A FDS6680A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6680A_D-2313037.pdf MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 28327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.17 грн
10+ 49.5 грн
100+ 34.5 грн
500+ 29.57 грн
1000+ 24.12 грн
2500+ 22.67 грн
5000+ 21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+73.35 грн
13+ 57.06 грн
100+ 40.7 грн
500+ 34.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+88.47 грн
25+ 43.59 грн
26+ 36.56 грн
72+ 34.58 грн
2500+ 33.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS6680A Виробник : Fairchild fds6680a-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDS6680/A Виробник : FSC
на замовлення 11982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6680/A Виробник : FSC 09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній

З цим товаром купують

Riston 215 (фоторезист сухий, негатив)
Код товару: 27020
Riston 215 (фоторезист сухий, негатив)
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Склотекстоліти, фоторезист
Опис: Фоторезист сухий має високу роздільну здатністю
у наявності: 247 м
Кількість Ціна без ПДВ
1+93.5 грн
10+ 83.1 грн
Клемник 15EDGK-3.5-02P-14-00Z(H)
Код товару: 19767		 15edgk.pdf
Клемник 15EDGK-3.5-02P-14-00Z(H)
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Прямий клемник, крок: 3,5мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 300V/8A, під провід: 28-16AWG 1,5мм.кв
Крок, мм: 3,5 mm
К-сть контактів: 2
Тип роз’єму: Клемник роз’ємного типу
Номінальний струм: 8 А
у наявності: 3791 шт
очікується: 4000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+8.5 грн
10+ 7.7 грн
100+ 6.9 грн
1000+ 6.3 грн
470pF 500V Y5P K(+/-10%) (HB2H471K-L515B-Hitano)
Код товару: 16340		 ClassII_070726.pdf
470pF 500V Y5P K(+/-10%) (HB2H471K-L515B-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 500 V
ТКЕ: Y5P
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5,8 mm
Part Number: HB2H471K-L515B
у наявності: 114 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.5 грн
10+ 1.2 грн
100+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
470pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N471J1HL2-L-Hitano)
Код товару: 2902		 multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
470pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N471J1HL2-L-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N471J1HL-2L
у наявності: 983 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+2.8 грн
100+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
470pF 1kV Y5P K(+/-10%) D<=5,8mm (HB3A471K-L516B-Hitano)
Код товару: 2459		 ClassII_070726.pdf
470pF 1kV Y5P K(+/-10%) D<=5,8mm (HB3A471K-L516B-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 1k V
ТКЕ: Y5P
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5,8 mm
Part Number: HB3A471K-L516B
у наявності: 4865 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.7 грн
100+ 1.4 грн
1000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 3