FDS6961A

FDS6961A ON Semiconductor / Fairchild


FDS6961A-D-1808524.pdf Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET SO-8 DUAL N-CH
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6961A ON Semiconductor / Fairchild

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції FDS6961A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6961A FDS6961A
Код товару: 56779
FDS6961A.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS6961A FDS6961A Виробник : ON Semiconductor fds6961a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6961A FDS6961A Виробник : onsemi FDS6961A.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS6961A FDS6961A Виробник : onsemi FDS6961A.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній