FGA60N60UFDTU ON-Semicoductor
Виробник: ON-SemicoductorIGBT 600V 120A 298W FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 294.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA60N60UFDTU ON-Semicoductor
Description: IGBT 600V 120A 298W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns, Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 188 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 298 W.
Інші пропозиції FGA60N60UFDTU за ціною від 266.05 грн до 416.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FGA60N60UFDTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 600V 60A FIELD STOP |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
FGA60N60UFDTU Код товару: 101205 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||||||||||||
 |
FGA60N60UFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
| FGA60N60UFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
FGA60N60UFDTU | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 600V 120A 298W TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 188 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 298 W |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FGA60N60UFDTU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 119W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 119W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 188nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |