FGA60N65SMD

FGA60N65SMD ON Semiconductor


3674503025821091fga60n65smd.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA60N65SMD ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns, Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 189 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 600 W.

Інші пропозиції FGA60N65SMD за ціною від 201.18 грн до 545.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : onsemi / Fairchild FGA60N65SMD_D-2313585.pdf IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+401.7 грн
10+ 361.07 грн
30+ 273.08 грн
120+ 233.5 грн
270+ 232.18 грн
510+ 230.86 грн
2520+ 201.18 грн
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+454.33 грн
3+ 307.13 грн
8+ 290.64 грн
30+ 289.95 грн
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+454.35 грн
29+ 405.92 грн
100+ 304.92 грн
500+ 282.25 грн
1000+ 233.05 грн
2000+ 215.58 грн
Мінімальне замовлення: 26
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+457.79 грн
10+ 408.99 грн
100+ 307.22 грн
500+ 284.38 грн
1000+ 234.82 грн
2000+ 217.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+545.19 грн
3+ 382.73 грн
8+ 348.77 грн
30+ 347.94 грн
FGA60N65SMD Виробник : ON-Semicoductor fga60n65smd-d.pdf IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+298.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGA60N65SMD FGA60N65SMD
Код товару: 60090
fga60n65smd-d.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : onsemi fga60n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
товар відсутній