Продукція > ONSEMI > FGH40N60SFDTU
FGH40N60SFDTU

FGH40N60SFDTU onsemi


fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+359.31 грн
30+ 274.43 грн
120+ 235.23 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH40N60SFDTU onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns, Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 290 W.

Інші пропозиції FGH40N60SFDTU за ціною від 163.1 грн до 389.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : onsemi / Fairchild FGH40N60SFDTU_F085_D-2313336.pdf IGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+389.84 грн
10+ 366.74 грн
30+ 240.01 грн
120+ 206.86 грн
270+ 202.22 грн
510+ 189.62 грн
1020+ 163.1 грн
FGH40N60SFDTU Виробник : ON-Semicoductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+197.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU
Код товару: 49007
Виробник : IR fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115
товар відсутній
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : ONSEMI FGH40N60SFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 116W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : ONSEMI FGH40N60SFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 116W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 0.12µC
товар відсутній