на замовлення 11949 шт:
термін постачання 971-980 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 140.31 грн |
| 10+ | 115.63 грн |
| 100+ | 80.18 грн |
| 250+ | 74.26 грн |
| 500+ | 66.38 грн |
| 800+ | 55.01 грн |
| 4800+ | 52.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB27P06TM onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 120, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FQB27P06TM за ціною від 162.93 грн до 162.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQB27P06TM | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 120 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 120 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
FQB27P06TM Код товару: 165405 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||
 |
FQB27P06TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQB27P06TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
FQB27P06TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -19.1A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
 |
FQB27P06TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQB27P06TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQB27P06TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -19.1A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |