FQP50N06

FQP50N06 JSMicro


fqp50n06-d.pdf
Код товару: 193976
Виробник: JSMicro
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності 86 шт:

73 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+38 грн
10+ 34.2 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQP50N06 за ціною від 18.27 грн до 44.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP50N06 FQP50N06 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP50N06 - MOSFET, N TO-220 TUBE 50
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
600+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 600
FQP50N06 Виробник : JSMicro Semiconductor fqp50n06-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
FQP50N06 Виробник : ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQP50N06 FQP50N06
Код товару: 31258
Виробник : Fairchild fqp50n06-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
товар відсутній
FQP50N06 FQP50N06 Виробник : ON Semiconductor fqp50n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP50N06 FQP50N06 Виробник : ONSEMI fqp50n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
FQP50N06 FQP50N06 Виробник : onsemi fqp50n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP50N06 FQP50N06 Виробник : onsemi / Fairchild FQP50N06_D-2313940.pdf MOSFET TO-220 N-CH 60V 50A
товар відсутній
FQP50N06 FQP50N06 Виробник : ONSEMI fqp50n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

MBR20100CTG
Код товару: 26154
description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Виробник: ON/LGE
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 20 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 500 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+26 грн
10+ 23.4 грн
Тестер напівпровідників в корпусі
Код товару: 163680
lcr-t7-datasheet.pdf
Виробник: FNIRSI
Інструмент та обладнання > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери)
Група: Тестер напівпровідників
Опис: Тестер напівпровідників в корпусі, ESR метр. Автоматична ідентифікація радіоелектронних компонентів (резистор, конденсатор, котушка індуктивності, діод, подвійний діод, біполярний NPN, PNP транзистор, N- канальний і Р- канальний MOS FET, JFET транзистор, малопотужний тиристор, симістор.
очікується: 150 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+655 грн
1,2nF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N122J1HL2-L-Hitano)
Код товару: 2900
multilayer_ceramic_capacitorsepoxy.pdf
1,2nF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N122J1HL2-L-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 1,2 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N122J1HL-2L
у наявності: 310 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3 грн
10+ 2.6 грн
100+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
6,8nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W682K1HL2-L-Hitano)
Код товару: 2896
multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
6,8nF 50V X7R K(+/-10%)  (R15W682K1HL2-L-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 6,8 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: X7R
Точність: ±10% K
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15W682K1HL-2L
у наявності: 1881 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3 грн
10+ 2.7 грн
100+ 2.4 грн
1000+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL4148
Код товару: 2413
FAIR-S-A0002364043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LL4148
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 81009 шт
Кількість Ціна без ПДВ
5+1 грн
10+ 0.5 грн
100+ 0.4 грн
1000+ 0.3 грн
10000+ 0.2 грн
Мінімальне замовлення: 5