FQPF33N10L onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 98.82 грн |
| 50+ | 76.3 грн |
| 100+ | 62.77 грн |
| 500+ | 49.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF33N10L onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF33N10L за ціною від 65.13 грн до 127.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF33N10L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 19653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQPF33N10L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| FQPF33N10L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF33N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.039 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 41 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 41 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FQPF33N10L | Виробник : FAIRCHIL |
09+ SOT263 |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FQPF33N10L Код товару: 88710 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||
 |
FQPF33N10L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |