FQPF70N10

FQPF70N10 ON Semiconductor


3650562598609242fqpf70n10.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+176.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF70N10 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF70N10 за ціною від 108.56 грн до 196.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQPF70N10 FQPF70N10 Виробник : ON Semiconductor 3650562598609242fqpf70n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQPF70N10 Виробник : ONSEMI 2907443.pdf Description: ONSEMI - FQPF70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+196.09 грн
10+ 167.23 грн
100+ 142.07 грн
500+ 108.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQPF70N10 Виробник : FSC fqpf70n10-d.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF70N10
Код товару: 168355
fqpf70n10-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQPF70N10 FQPF70N10 Виробник : ON Semiconductor 3650562598609242fqpf70n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FQPF70N10 FQPF70N10 Виробник : ONSEMI fqpf70n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24.7A; Idm: 140A; 62W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24.7A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQPF70N10 FQPF70N10 Виробник : onsemi fqpf70n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товар відсутній
FQPF70N10 FQPF70N10 Виробник : onsemi / Fairchild FQPF70N10_D-2313916.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
товар відсутній
FQPF70N10 FQPF70N10 Виробник : ONSEMI fqpf70n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24.7A; Idm: 140A; 62W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24.7A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній