Продукція > INFINEON > HYB25L512160AC-7.5

HYB25L512160AC-7.5 INFINEON


INFNS06572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: INFINEON
09+ BGA56
на замовлення 2096 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HYB25L512160AC-7.5 INFINEON

Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA, Packaging: Bulk, Package / Case: 54-LFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TC), Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 133 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 54-FBGA (8x12), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 14ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 6 ns, Memory Organization: 32M x 16.

Інші пропозиції HYB25L512160AC-7.5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HYB25L512160AC-7.5 Виробник : INFINEON INFNS06572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 05+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HYB25L512160AC-7.5 Виробник : SAMSUNG INFNS06572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 05+
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HYB25L512160AC-7.5
Код товару: 24045
INFNS06572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Мікросхеми > Пам'ять
товар відсутній
HYB25L512160AC-7.5 HYB25L512160AC-7.5 Виробник : Infineon Technologies INFNS06572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 54-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TC)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x12)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 14ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 32M x 16
товар відсутній