Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDH04G65C6XKSA1
IDH04G65C6XKSA1

IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies

870infineon-idh04g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ccf5.pdf Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IDH04G65C6XKSA1 за ціною від 51.44 грн до 186.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDH04G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ccf519a3174d7 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
на замовлення 13460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.4 грн
50+ 108.48 грн
100+ 89.26 грн
500+ 70.88 грн
1000+ 60.14 грн
2000+ 57.13 грн
5000+ 54.08 грн
10000+ 52.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 Виробник : INFINEON 2343073.pdf Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+150.04 грн
10+ 103.47 грн
100+ 82.78 грн
500+ 65.47 грн
1000+ 51.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDH04G65C6-DS-v02_00-EN-1131065.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.02 грн
10+ 165.17 грн
50+ 134.41 грн
100+ 114.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IDH04G65C6XKSA1
Код товару: 177207 		Infineon-IDH04G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ccf519a3174d7 Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товар відсутній
IDH04G65C6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDH04G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ccf519a3174d7 IDH04G65C6 THT Schottky diodes
товар відсутній