IGW30N100TFKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns
Switching Energy: 3.8mJ
Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 149+ | 168.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW30N100TFKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns, Switching Energy: 3.8mJ, Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V, Gate Charge: 217 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 412 W.
Інші пропозиції IGW30N100TFKSA1 за ціною від 156.88 грн до 332.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IGW30N100TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IGW30N100TFKSA1 Код товару: 145089 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IGW30N100TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IGW30N100TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns Switching Energy: 3.8mJ Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V Gate Charge: 217 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 412 W |
товар відсутній |