IGW50N65F5FKSA1

IGW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies


DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.35 грн
30+ 241.34 грн
120+ 206.85 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns, Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 305 W.

Інші пропозиції IGW50N65F5FKSA1 за ціною від 152.47 грн до 465.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1731516.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.49 грн
10+ 284.93 грн
25+ 233.3 грн
100+ 200.44 грн
240+ 187.96 грн
480+ 177.44 грн
1200+ 152.47 грн
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Виробник : INFINEON 2333558.pdf Description: INFINEON - IGW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+377.46 грн
10+ 269.09 грн
100+ 204.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 38625911342457040ds_igw50n65f5_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941file.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+465.7 грн
30+ 393.9 грн
50+ 299.79 грн
100+ 288.15 грн
200+ 252.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
IGW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+303.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1
Код товару: 85495
DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 Транзистори > IGBT
товар відсутній
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 38625911342457040ds_igw50n65f5_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941file.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 38625911342457040ds_igw50n65f5_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941file.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 38625911342457040ds_igw50n65f5_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941file.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
товар відсутній