Продукція > INFINEON > IKY75N120CH3XKSA1
IKY75N120CH3XKSA1

IKY75N120CH3XKSA1 INFINEON


2849725.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY75N120CH3XKSA1 - IGBT, 150 A, 2 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 938W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1019.82 грн
10+ 901.17 грн
25+ 704.63 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKY75N120CH3XKSA1 INFINEON

Description: IGBT 1200V 150A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 292 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/303ns, Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.9mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 938 W.

Інші пропозиції IKY75N120CH3XKSA1 за ціною від 715.73 грн до 1210.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKY75N120CH3XKSA1 IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iky75n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+1055.41 грн
25+ 1006.68 грн
50+ 966.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
IKY75N120CH3XKSA1 IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKY75N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8176aea052c Description: IGBT 1200V 150A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 292 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/303ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 938 W
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1113.26 грн
30+ 868.19 грн
120+ 817.11 грн
IKY75N120CH3XKSA1 IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKY75N120CH3_DS_v02_03_EN-3361894.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1209.75 грн
10+ 1149.19 грн
25+ 839.67 грн
100+ 789.7 грн
240+ 781.27 грн
480+ 715.73 грн
IKY75N120CH3XKSA1 IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iky75n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1210.61 грн
10+ 1129.04 грн
25+ 1108.85 грн
IKY75N120CH3XKSA1
Код товару: 143781
Infineon-IKY75N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8176aea052c Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKY75N120CH3XKSA1 IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iky75n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKY75N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 335ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKY75N120CH3XKSA1 IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iky75n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKY75N120CH3XKSA1 IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iky75n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKY75N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 335ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній