IPP410N30NAKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 306.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP410N30NAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP410N30NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.
Інші пропозиції IPP410N30NAKSA1 за ціною від 332.23 грн до 900.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP410N30NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 23500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP410N30NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP410N30NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP410N30NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP410N30NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MV POWER MOS |
на замовлення 779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP410N30NAKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP410N30NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP410N30NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP410N30NAKSA1 Код товару: 177758 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IPP410N30NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPP410N30NAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain current: 44A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 300V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPP410N30NAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain current: 44A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 300V |
товар відсутній |