IR2011SPBF Infineon Technologies
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 128.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2011SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2011SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 1Aout, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, MSL: 0, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 80ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції IR2011SPBF за ціною від 81.41 грн до 345.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 6206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 3786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers 200V high & low-side ,1A,80ns,DSO-8 |
на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 6206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2011SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -1...1A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 200V Turn-on time: 80ns Turn-off time: 60ns |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2011SPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2011SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 1Aout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: 0 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2011SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -1...1A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 200V Turn-on time: 80ns Turn-off time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
IR2011SPBF Код товару: 39114 |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||
 |
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 200V 1A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
товар відсутній |