на замовлення 2995 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 10.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF5850TRPBF IR
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 960mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP.
Інші пропозиції IRF5850TRPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRF5850TRPBF Код товару: 34942 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TSOP-6 Uds,V: 20 V Id,A: 1,8/2,2 A Rds(on),Om: 0,135 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 320/3.6 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||
IRF5850TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
||
IRF5850TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 960mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP |
товар відсутній |
||
IRF5850TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A |
товар відсутній |