IRF620 Siliconix

Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620 TIRF620
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 193 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
50+	19.62 грн

Мінімальне замовлення: 50

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF620 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF620

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IRF620 Код товару: 7923	Виробник : IR	Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm Монтаж: THT	товар відсутній
IRF620	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	товар відсутній
IRF620	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 200V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	товар відсутній
IRF620	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V	товар відсутній
IRF620	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V	товар відсутній
IRF620	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFET RECOMMENDED ALT IRF620PBF	товар відсутній
IRF620	Виробник : STMicroelectronics	MOSFET N-Ch 200 Volt 6 Amp	товар відсутній
IRF620	Виробник : onsemi / Fairchild	MOSFET	товар відсутній