IRF630NPBF
Код товару: 15961
Виробник: IRUds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності 162 шт:
74 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
47 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 15.9 грн |
100+ | 14.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF630NPBF IR
- MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:200V
- On State Resistance:0.3ohm
- Power Dissipation:82W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:9.3A
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
- Max Voltage Vgs th:4V
- Power Dissipation Pd:82W
- Pulse Current Idm:37A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:200V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF630NPBF за ціною від 15.99 грн до 99.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 49749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 49740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC |
на замовлення 2326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V |
на замовлення 7947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 49749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 82W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 4729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | TO-220AB |
на замовлення 80 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
1N4148 Код товару: 176824 |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
у наявності: 8024 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 0.6 грн |
100+ | 0.4 грн |
1000+ | 0.28 грн |
220uF 250V ECR 22x30mm (ECR221M2EB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 15969 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 250 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 22х30mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 250 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 22х30mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 36 шт
очікується:
200 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 33 грн |
10+ | 29.7 грн |
100+ | 26.9 грн |
IRF820 Код товару: 17799 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24 грн |
10+ | 21.6 грн |
LM358P Код товару: 24924 |
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 2
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 2
у наявності: 595 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7 грн |
10+ | 6 грн |
100+ | 5.4 грн |
NE555P Код товару: 26138 |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 2324 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
1000+ | 5.8 грн |