IRF7204PBF
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 18.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7204PBF IR
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRF7204PBF за ціною від 12.85 грн до 207.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7204PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В; Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
IRF7204PBF Код товару: 51827 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||
IRF7204PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
||||||||||
IRF7204PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
||||||||||
IRF7204PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V |
товар відсутній |
||||||||||
IRF7204PBF | Виробник : Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 25nC |
товар відсутній |