IRF720PBF Siliconix
Код товару: 164162
Виробник: SiliconixUds,V: 400 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
Монтаж: THT
у наявності 27 шт:
18 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 15.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF720PBF за ціною від 25.33 грн до 81.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF720PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF720PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF720PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF720PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.1A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF720PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF720PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF720PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
на замовлення 2843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF720PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.1A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 437 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF720PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF720PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 2066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF720PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF720PBF | Виробник : International Rectifier Corporation | MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB |
на замовлення 425 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
IRF720PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRF720PBF Код товару: 22638 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 400 V Idd,A: 3,3 A Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
З цим товаром купують
5,1 MOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-5M1-Hitano) (S) Код товару: 13869 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 5,1 MOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 5,1 MOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 2014 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.4 грн |
1 MOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-1M-Hitano) (S) Код товару: 11169 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 MOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 MOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 8795 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.4 грн |
22000uF 50V ELP 35x50mm (ELP223M50BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 6777 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22000 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 35х50mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22000 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 35х50mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 41 шт
очікується:
100 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 188 грн |
10+ | 179 грн |
100+ | 172 грн |
2N2222 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4035 |
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 3091 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.3 грн |
100+ | 1 грн |
1nF 1kV Y5P K(+/-10%) D<=5,8mm (HB3A102K-L516B-Hitano) Код товару: 3451 |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 1k V
ТКЕ: Y5P
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5,8 mm
Part Number: HB3A102K-L516B
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 1k V
ТКЕ: Y5P
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5,8 mm
Part Number: HB3A102K-L516B
у наявності: 3091 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.4 грн |
100+ | 1.1 грн |
1000+ | 0.8 грн |