IRF7342TRPBF
Код товару: 31772
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності 85 шт:
38 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7342TRPBF за ціною від 25.21 грн до 99.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: -999 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -888 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 765 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 10604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: -999 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -888 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon | 2P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 3,4 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 829 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon | Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm |
на замовлення 3489 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | IRF7342TRPBF Микросхемы |
на замовлення 95 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF7103TRPBF Код товару: 19112 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 398 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27.5 грн |
10+ | 24.8 грн |
100+ | 21.8 грн |
IRF7341TRPBF Код товару: 25204 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 8 шт
очікується:
200 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 33 грн |
10+ | 29.5 грн |
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 17877 |
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 1170 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6.5 грн |
10+ | 5.4 грн |
100+ | 4.7 грн |
P6KE27A Код товару: 29918 |
Виробник: MIC/Sunmate
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 23 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 27 V
Струм витоку, Irm: 0,5 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 23 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 27 V
Струм витоку, Irm: 0,5 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: THT
у наявності: 786 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4 грн |
10+ | 3.2 грн |
100+ | 2.7 грн |
SRP7028C-3R3M Код товару: 176336 |
Індуктивності, дроселі > Індуктивності SMD інші
Номінал: 3,3 µH
Точність: ±20%
Габарити або типорозмір: 7,1x6,6 mm
Номінал: 3,3 µH
Точність: ±20%
Габарити або типорозмір: 7,1x6,6 mm
товар відсутній