Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7389PBF
IRF7389PBF

IRF7389PBF

IRF7389PBF.pdf
Код товару: 25148
Виробник: IR
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 177 шт:
113 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+16 грн
10+ 14.4 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7389PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.046ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id P Channel:5.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation P Channel 2:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7389
  • Transistor Case Style:SOIC

Інші пропозиції IRF7389PBF за ціною від 17.79 грн до 84.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+27.93 грн
8000+ 26.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+28.09 грн
8000+ 25.76 грн
12000+ 24.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+31.45 грн
8000+ 30.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+50.8 грн
250+ 43.35 грн
1000+ 31.42 грн
2000+ 27.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 13644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.54 грн
10+ 53.47 грн
100+ 41.62 грн
500+ 33.11 грн
1000+ 26.97 грн
2000+ 25.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+69.01 грн
50+ 50.8 грн
250+ 43.35 грн
1000+ 31.42 грн
2000+ 27.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN-3363057.pdf MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.45 грн
10+ 57.97 грн
100+ 39.37 грн
500+ 33.58 грн
1000+ 26.22 грн
2000+ 25.17 грн
4000+ 24.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
138+84.42 грн
152+ 76.6 грн
182+ 64.32 грн
200+ 58.69 грн
500+ 48.77 грн
1000+ 39.36 грн
4000+ 35.2 грн
8000+ 34.78 грн
Мінімальне замовлення: 138
IRF7389PBF Виробник : IR irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Транз. Пол. ММ 1N/1P-Channel SO8 30V 7,3/-5,3A 2,5W 29/58mOhm
на замовлення 255 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.43 грн
10+ 36.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7389PBF IRF7389PBF Виробник : Infineon (IRF) irf7389.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/23nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7389PBF IRF7389PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN-3363057.pdf MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
товар відсутній
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7389PBF IRF7389PBF Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товар відсутній
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

IRLML0030TRPBF
Код товару: 37076		 irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7865 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3.5 грн
10+ 3 грн
100+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLML5203TRPBF
Код товару: 25596		 irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 5924 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+4.5 грн
10+ 3.8 грн
100+ 3.2 грн
1000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF7105
Код товару: 32592		 description irf7105-datasheet.pdf
IRF7105
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 49 шт
очікується: 200 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+16 грн
10+ 14.4 грн
100+ 12.9 грн
SCB1207-100М (10uH, ±20%, 5.4A, 0.0216 Ohm, SMD: 12x12mm, h=8mm; в броньовому осерді) Anla Tech (дросель силовий)
Код товару: 39174		 SCB-1.pdf
SCB1207-100М (10uH, ±20%, 5.4A, 0.0216 Ohm, SMD: 12x12mm, h=8mm; в броньовому осерді) Anla Tech (дросель силовий)
Виробник: AnlaTech/IH
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 10 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 10uH, ±20%, Idc=5.4А, Rdc=0.0216 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm
Тип: SCB1207
Габарити: 12,0x12,0мм, h=8,0мм
Робочий струм, А: 5.4A
у наявності: 95 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+18 грн
10+ 16.5 грн
EIC-402 (макетна плата 840 контактів)
Код товару: 119822
EIC-402 (макетна плата 840 контактів)
Виробник: E-CALL
Макетні плати > Макетні плати безпаєчні та провода до них
Загальні розміри: 165,1x54,6x8,5мм
Кількість контактів: 840
Тип виробу: Макетна плата без пайки
Опис: Макетна плата (Breadboard), 840 контактів, крок: 2,54мм, матеріал: ABS; матеріал пружинних контактів: фосфориста бронза покрита нікелем. Упаковка: блістер. 
Розмір довжина: 165,1 мм
Розмір ширина: 54,6 мм
у наявності: 53 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+145 грн
10+ 133 грн