IRF7389PBF
Код товару: 25148
Виробник: IRUds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 177 шт:
113 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16 грн |
10+ | 14.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7389PBF IR
- MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:NP
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:7.3A
- On State Resistance:0.046ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:1V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Cont Current Id P Channel:5.3A
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max On State Resistance:0.029ohm
- Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
- Max Voltage Vds:30V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- Min Voltage Vgs th:1V
- Min Voltage Vgs th P Channel:1V
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:2
- Power Dissipation:2.5W
- Power Dissipation P Channel 2:2.5W
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:30A
- Pulse Current Idm P Channel:30A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:F7389
- Transistor Case Style:SOIC
Інші пропозиції IRF7389PBF за ціною від 17.79 грн до 84.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 13644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A |
на замовлення 9853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7389PBF | Виробник : IR | Транз. Пол. ММ 1N/1P-Channel SO8 30V 7,3/-5,3A 2,5W 29/58mOhm |
на замовлення 255 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF7389PBF | Виробник : Infineon (IRF) |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7.3/-5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29/58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22/23nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF7389PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7.3/-5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29/58mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF7389PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF7389TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7.3/-5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29/58mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRLML0030TRPBF Код товару: 37076 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7865 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3.5 грн |
10+ | 3 грн |
100+ | 2.9 грн |
IRLML5203TRPBF Код товару: 25596 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 5924 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 3.8 грн |
100+ | 3.2 грн |
1000+ | 2.9 грн |
IRF7105 Код товару: 32592 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 49 шт
очікується:
200 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16 грн |
10+ | 14.4 грн |
100+ | 12.9 грн |
SCB1207-100М (10uH, ±20%, 5.4A, 0.0216 Ohm, SMD: 12x12mm, h=8mm; в броньовому осерді) Anla Tech (дросель силовий) Код товару: 39174 |
Виробник: AnlaTech/IH
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 10 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 10uH, ±20%, Idc=5.4А, Rdc=0.0216 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm
Тип: SCB1207
Габарити: 12,0x12,0мм, h=8,0мм
Робочий струм, А: 5.4A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 10 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 10uH, ±20%, Idc=5.4А, Rdc=0.0216 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm
Тип: SCB1207
Габарити: 12,0x12,0мм, h=8,0мм
Робочий струм, А: 5.4A
у наявності: 95 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 16.5 грн |
EIC-402 (макетна плата 840 контактів) Код товару: 119822 |
Виробник: E-CALL
Макетні плати > Макетні плати безпаєчні та провода до них
Загальні розміри: 165,1x54,6x8,5мм
Кількість контактів: 840
Тип виробу: Макетна плата без пайки
Опис: Макетна плата (Breadboard), 840 контактів, крок: 2,54мм, матеріал: ABS; матеріал пружинних контактів: фосфориста бронза покрита нікелем. Упаковка: блістер.
Розмір довжина: 165,1 мм
Розмір ширина: 54,6 мм
Макетні плати > Макетні плати безпаєчні та провода до них
Загальні розміри: 165,1x54,6x8,5мм
Кількість контактів: 840
Тип виробу: Макетна плата без пайки
Опис: Макетна плата (Breadboard), 840 контактів, крок: 2,54мм, матеріал: ABS; матеріал пружинних контактів: фосфориста бронза покрита нікелем. Упаковка: блістер.
Розмір довжина: 165,1 мм
Розмір ширина: 54,6 мм
у наявності: 53 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 145 грн |
10+ | 133 грн |