IRF9520 Harris Corporation
Виробник: Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 6A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 8368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 314+ | 63.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9520 Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V.
Можливі заміни IRF9520 Harris Corporation
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9520PBF Код товару: 123233 |
Виробник : Vishay / Siliconix |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Id,A: 6,8 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 390/18 Монтаж: THT |
у наявності: 111 шт
|
|
Інші пропозиції IRF9520 за ціною від 25.65 грн до 25.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF9520 | Виробник : Siliconix |
P-MOSFET 6,8A 100V 6W 0.6Ω IRF9520 TIRF9520 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF9520 | Виробник : Siliconix |
P-MOSFET 6,8A 100V 6W 0.6Ω IRF9520 TIRF9520 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IRF9520 Код товару: 57604 |
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 Id,A: 6 А Rds(on),Om: 0,600 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 300/16 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||
 |
IRF9520 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF9520 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF9520 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9520PBF |
товар відсутній |
|||||
|
|
IRF9520 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET |
товар відсутній |