IRF9530 Harris Corporation
Виробник: Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 222+ | 88.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9530 Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF9530 за ціною від 52.54 грн до 52.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF9530 | Виробник : Siliconix |
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF9530 | Виробник : Siliconix |
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IRF9530 Код товару: 78154 |
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 48 A Rds(on),Om: 0,3 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||
 |
IRF9530 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF9530 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF9530 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF9530 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9530PBF |
товар відсутній |
|||||
|
|
IRF9530 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET |
товар відсутній |
|||||
| IRF9530 | Виробник : Infineon / IR |
Infineon |
товар відсутній |