IRF9530SPBF VBsemi
у наявності 100 шт:
100 шт - склад
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 40 грн |
10+ | 36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9530SPBF VBsemi
- MOSFET, P, 100V, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:12A
- On State Resistance:0.3ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:D2-PAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:TO-262AB
- Max Voltage Vds:100V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- Power Dissipation Pd:88W
- Pulse Current Idm:48A
- Voltage Vds:100V
- Transistor Case Style:D2-PAK
Інші пропозиції IRF9530SPBF за ціною від 29.9 грн до 185.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9530SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 2105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 791 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF9530SPBF Код товару: 35683 |
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 12 А Rds(on),Om: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 860/38 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
22uF 16V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR220M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2845 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 4х7mm
Строк життя: 1000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 4х7mm
Строк життя: 1000 годин
у наявності: 12982 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.3 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.6 грн |
BZX55-C18 Код товару: 2473 |
Виробник: NXP/YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
у наявності: 4572 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.3 грн |
100+ | 1 грн |
1000+ | 0.8 грн |
10uF 25V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR100M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2389 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 4х7mm
Строк життя: 1000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 4х7mm
Строк життя: 1000 годин
у наявності: 7490 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 0.9 грн |
100+ | 0.7 грн |
1000+ | 0.6 грн |
100 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-100KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2143 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
очікується:
80000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.2 грн |
1000+ | 0.15 грн |
10000+ | 0.12 грн |
BC557B Код товару: 1826 |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
у наявності: 933 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.4 грн |
100+ | 1.1 грн |