IRF9Z30PBF
Код товару: 40285
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Id,A: 18 A
Rds(on),Om: 0,14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 900/28
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z30PBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current, Id:-18A
- Drain Source Voltage, Vds:-50V
- On Resistance, Rds(on):0.093ohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
- Power Dissipation, Pd:74W
Інші пропозиції IRF9Z30PBF за ціною від 67.69 грн до 181.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9Z30PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z30PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z30PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z30PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z30PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z30PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
на замовлення 1022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z30PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.093 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z30PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF9Z30PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9Z30PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -18A; Idm: -60A; 74W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -18A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9Z30PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -18A; Idm: -60A; 74W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -18A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
10uF 25V X5R 0805 (GRM21BR61E106KA73L-Murata) Код товару: 113192 |
у наявності: 1898 шт
очікується:
6000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9 грн |
10+ | 6.6 грн |
100+ | 5.6 грн |
3,9nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805C392K5RAC7800) Код товару: 58233 |
Виробник: Kemet
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 3,9 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 3,9 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 3270 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.6 грн |
1000+ | 0.5 грн |
CDRH127/LDNP-1R0NC (1uH, ±20%, Idc=14А, Rdc max/typ=6.5/5 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий) Код товару: 41277 |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 1 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 1uH, ±20%, Idc=14А, Rdc max/typ=6.5/5 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3мм, h=8,0мм
Робочий струм, А: 14A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 1 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 1uH, ±20%, Idc=14А, Rdc max/typ=6.5/5 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3мм, h=8,0мм
Робочий струм, А: 14A
у наявності: 208 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 12.5 грн |
10+ | 10.8 грн |
100+ | 7.7 грн |
SND0705-1R0M (1uH, ±20%, 4.8A, 0.023 Ohm, SMD: 7.8x7.0mm, h=5.0mm) Anla Tech (дросель силовий) Код товару: 39214 |
Виробник: AnlaTech/IH
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 1 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна на феритовій гантелі, 1uH, ±20%, Idc=4.8А, Rdc=0.023 Ohm, SMD: 7.8x7.0mm, h=5.0mm
Тип: SND0705
Габарити: 7,8x7,0мм, h=5,0мм
Робочий струм, А: 4.8A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 1 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна на феритовій гантелі, 1uH, ±20%, Idc=4.8А, Rdc=0.023 Ohm, SMD: 7.8x7.0mm, h=5.0mm
Тип: SND0705
Габарити: 7,8x7,0мм, h=5,0мм
Робочий струм, А: 4.8A
у наявності: 653 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
100uF 50V EHR 8x12mm (EHR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 18350 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 9835 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4 грн |
10+ | 3.5 грн |
100+ | 2.9 грн |
1000+ | 2.2 грн |