IRFBG30 Vishay


packaging.pdf Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 93 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBG30 Vishay

Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBG30

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFBG30 IRFBG30
Код товару: 18004
Виробник : IR datasheetsd876bf87entdyueitbd87e6t78d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFBG30 IRFBG30 Виробник : Vishay 91124.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBG30 IRFBG30 Виробник : Vishay Siliconix packaging.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFBG30 IRFBG30 Виробник : Vishay / Siliconix packaging.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBG30PBF
товар відсутній