IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Vishay
Код товару: 156294
Виробник: VishayUds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності 31 шт:
3 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 20 грн |
10+ | 18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) за ціною від 17.71 грн до 105.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) Код товару: 148947 |
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 1,3 A Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 450/11 Монтаж: THT |
у наявності: 15 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4 Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.94A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: DIP4 |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4 Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.94A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: DIP4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI |
на замовлення 3473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 3320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm |
на замовлення 5354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFD120PBF (DIP4-300, IR) Код товару: 28377 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 1,3 A Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 450/11 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
З цим товаром купують
22uF 63V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR220M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 15895 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 4772 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.4 грн |
100+ | 1.1 грн |
1000+ | 0.9 грн |
470uF 16V ESX 10x13mm (low imp., 5000годинник) (ESX471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 17034 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 10х13mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 10х13mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 978 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 4 грн |
100+ | 3.5 грн |
PC817A Код товару: 18418 |
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 1175 шт
очікується:
6000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 4.1 грн |
100+ | 3.7 грн |
1000+ | 3.3 грн |
2200uF 10V ESX 13x25mm (low imp., 5000годинник) (ESX222M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 43213 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 13х25mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 13х25mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 239 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
DB207 діодний міст Код товару: 72705 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: DB-1
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 2 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 75 A
Корпус: DB-1
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 2 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 75 A
у наявності: 1930 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 4.1 грн |
100+ | 3.6 грн |
1000+ | 3.2 грн |