IRFI9Z34GPBF
Код товару: 42009
Виробник: IRКорпус: TO-220F
Uds,V: 60 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
Примітка : Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності 20 шт:
15 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 132 грн |
10+ | 118.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFI9Z34GPBF за ціною від 39.37 грн до 198.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFI9Z34GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.5A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFI9Z34GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.5A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 206 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFI9Z34GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFI9Z34GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFI9Z34GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFI9Z34GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRFI9Z34GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFI9Z34GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
З цим товаром купують
4N35 Код товару: 2416 |
Виробник: Liteon
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-6
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 3,5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/100 mA
Uвых,V: 30 V
Ton/Toff,µs: 3/3 µs
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-6
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 3,5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/100 mA
Uвых,V: 30 V
Ton/Toff,µs: 3/3 µs
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
у наявності: 189 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11 грн |
10+ | 9.9 грн |
100+ | 9 грн |
NE555P Код товару: 26138 |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 2559 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
1000+ | 5.8 грн |
BZX55-C12 Код товару: 26387 |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
у наявності: 3619 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.3 грн |
100+ | 1 грн |
1000+ | 0.8 грн |
2SD882P (транзистор біполярний NPN) Код товару: 31893 |
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 3 А
h21: 400
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 3 А
h21: 400
Монтаж: THT
у наявності: 608 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
KBPC3510W (діодний міст) Код товару: 45605 |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: MB-35W
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 35 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 400 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: MB-35W
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 35 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 400 A
у наявності: 382 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 25 грн |
10+ | 23.1 грн |
100+ | 20.7 грн |