IRFL4310TRPBF
Код товару: 53875
Виробник: IRUds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
у наявності 14 шт:
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується 100 шт:
100 шт - очікується 12.05.2024
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 21 грн |
10+ | 18.6 грн |
100+ | 17.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFL4310TRPBF за ціною від 13.72 грн до 49.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL4310TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 18458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL4310TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC |
на замовлення 13828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFL4310TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFL4310TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
BZX84-C18 Код товару: 9995 |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
товар відсутній
680uF 35V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR681M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 19020 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 680 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 680 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
товар відсутній
Кнопка тактова SWT-2/5 (KLS7-TS6601-H2 = 5.0) Код товару: 48413 |
Виробник: KLS
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
Тип: Кнопки тактові
Вивідна/SMD: THT
Розмір, mm: 6x6 mm
Висота кнопки, mm: 5 mm
Опис: Кнопка "OFF-ON". Без фіксації
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
Тип: Кнопки тактові
Вивідна/SMD: THT
Розмір, mm: 6x6 mm
Висота кнопки, mm: 5 mm
Опис: Кнопка "OFF-ON". Без фіксації
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
у наявності: 136 шт
очікується:
4000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 2.5 грн |
10+ | 1.8 грн |
100+ | 1.4 грн |
1000+ | 0.9 грн |
ES1D Код товару: 175546 |
Виробник: Vishay/Yongyutai
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns
у наявності: 841 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.5 грн |
100+ | 2.1 грн |
BZV55-C5V1 Код товару: 4297 |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 5,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 5,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
у наявності: 3081 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.5 грн |
100+ | 1.3 грн |
1000+ | 1.08 грн |