Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

IRFP260NPBF

irfp260npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628a2ef1fe4
Код товару: 47253
Виробник: IR
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
у наявності 133 шт:
79 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+162 грн
10+ 150.7 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRFP260NPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFP260N IRFP260N
Код товару: 18423 		Виробник : IR irfp260n.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254
Монтаж: THT
у наявності: 55 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+138 грн
10+ 130 грн

Інші пропозиції IRFP260NPBF за ціною від 61.64 грн до 347.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+160.72 грн
5+ 134.18 грн
8+ 102.69 грн
22+ 97.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.86 грн
5+ 167.2 грн
8+ 123.22 грн
22+ 116.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
57+205.4 грн
60+ 196.6 грн
69+ 170.88 грн
100+ 143.95 грн
400+ 113.47 грн
1200+ 103.1 грн
2800+ 97.7 грн
Мінімальне замовлення: 57
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : Infineon Technologies irfp260npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628a2ef1fe4 Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 13369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.17 грн
25+ 202.52 грн
100+ 173.6 грн
500+ 144.82 грн
1000+ 124 грн
2000+ 116.76 грн
5000+ 110.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFP260N_DataSheet_v01_01_EN-3363258.pdf MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+288.29 грн
10+ 282.66 грн
25+ 195.84 грн
100+ 168.24 грн
400+ 127.5 грн
1200+ 119.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+336.66 грн
49+ 237.7 грн
59+ 199.86 грн
100+ 182.43 грн
200+ 168.05 грн
Мінімальне замовлення: 35
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+347.24 грн
10+ 291.21 грн
100+ 193.16 грн
500+ 175.94 грн
1000+ 159.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP260NPBF Виробник : Infineon irfp260npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628a2ef1fe4 Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.97 грн
10+ 102.96 грн
Мінімальне замовлення: 3

З цим товаром купують

1N5349B
Код товару: 36545		 description 1n5345b-1n5388b.pdf
1N5349B
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-201
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 100mA
Потужність, Pd: 5 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
у наявності: 1347 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+9 грн
10+ 6.6 грн
100+ 5.6 грн
1 kOhm 5% 5W вивів. (MOR500SJTB-1KR-Hitano) (резистори метало-оксидні)
Код товару: 50096		 MOR_080911.pdf
1 kOhm 5% 5W вивів. (MOR500SJTB-1KR-Hitano) (резистори метало-оксидні)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 5W (метало-оксидні)
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Потужність: 5 W
Напруга: 700 V
Розмір: 17,0x6,0mm; Dвив.=0,76 mm
Тип: метало-оксидні
у наявності: 554 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3.5 грн
10+ 3.1 грн
100+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
BZX55-C12
Код товару: 26387		 BZX55.pdf
BZX55-C12
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
у наявності: 3547 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.3 грн
100+ 1 грн
1000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
PC123
Код товару: 32962		 PC123%20Series.pdf
PC123
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 70 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 123 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+6.5 грн
10+ 5.8 грн
4700uF 50V ECR 22x41mm (ECR472M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3028		 ECR_081225.pdf
4700uF 50V ECR 22x41mm (ECR472M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4700 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 22х41mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 268 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+46 грн
10+ 41.5 грн
100+ 37.9 грн