IRFU9024N International Rectifier


IRFR%2CU9024N.pdf Виробник: International Rectifier
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU9024N International Rectifier

Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFU9024N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFU9024N Виробник : IR IRFR%2CU9024N.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFU9024N Виробник : IR IRFR%2CU9024N.pdf TO251 10+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFU9024N IRFU9024N
Код товару: 28049
IRFR%2CU9024N.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
IRFU9024N IRFU9024N Виробник : Infineon Technologies IRFR%2CU9024N.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній