IRFZ48N PBF
у наявності 256 шт:
200 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 27 грн |
100+ | 24.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFZ48N PBF за ціною від 23.16 грн до 83.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 94W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC |
на замовлення 6570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 94W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 294 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 22964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | TO-220 |
на замовлення 420 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRFZ48N PBF | Виробник : IR | 06+; |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
NE555P Код товару: 26138 |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 2568 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
1000+ | 5.8 грн |
IRFZ44NPBF Код товару: 35403 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1702 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 20 грн |
10+ | 17.9 грн |
100+ | 16 грн |
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 13709 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 29 грн |
100+ | 28 грн |
1000+ | 27 грн |
10uF 16V ECR 5x11mm (ECR100M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 1241 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 6151 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1.1 грн |
100+ | 0.7 грн |
1000+ | 0.5 грн |
1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2455 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х26mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х26mm
Строк життя: 5000 годин
товар відсутній