IRG4PC30FDPBF

IRG4PC30FDPBF


IRG4PC30F.pdf
Код товару: 36329
Виробник: IR
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,59 V
Ic 25: 31 A
Ic 100: 17 A
Pd 25: 100 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 21/200
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRG4PC30FDPBF IR

  • IGBT
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor P

Інші пропозиції IRG4PC30FDPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRG4PC30FDPBF IRG4PC30FDPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irg4pc30fd-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC30FDPBF IRG4PC30FDPBF Виробник : INFINEON 2059614.pdf Description: INFINEON - IRG4PC30FDPBF - IGBT, schnell, CoPACK, N-Kanal, 31 A, 1.99 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.99
DC-Kollektorstrom: 31
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IRG4PC30FDPBF IRG4PC30FDPBF Виробник : Infineon Technologies irg4pc30fdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643bb0e22c0 Description: IGBT 600V 31A 100W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns
Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off)
Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 100 W
товар відсутній
IRG4PC30FDPBF IRG4PC30FDPBF Виробник : Infineon / IR Infineon-IRG4PC30FD-DataSheet-v01_00-EN-1228357.pdf IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz
товар відсутній