Продукція > INFINEON > IRG4PH40UD2-EP

IRG4PH40UD2-EP Infineon


irg4ph40ud2-epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564837e62319 Виробник: Infineon

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRG4PH40UD2-EP Infineon

Description: IGBT 1200V 41A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns, Switching Energy: 1.95mJ (on), 1.71mJ (off), Test Condition: 800V, 21A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 82 A, Power - Max: 160 W.

Інші пропозиції IRG4PH40UD2-EP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRG4PH40UD2-EP
Код товару: 122313
irg4ph40ud2-epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564837e62319 Транзистори > IGBT
товар відсутній
IRG4PH40UD2-EP IRG4PH40UD2-EP Виробник : Infineon Technologies irg4ph40ud2-epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564837e62319 Description: IGBT 1200V 41A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 1.71mJ (off)
Test Condition: 800V, 21A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 82 A
Power - Max: 160 W
товар відсутній
IRG4PH40UD2-EP IRG4PH40UD2-EP Виробник : Infineon / IR Infineon-IRG4PH40UD2-E-DataSheet-v01_00-EN-1732063.pdf IGBT Transistors 1200V UltraFast 5-40kHz
товар відсутній